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PID控制请教:单相可控整流器的PID控制

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沙发
发表于 2016-5-5 22:23:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
利用调压法(控制导通角)来控制可控硅产生所需的市电整流直流电压:

  调压法(控制导通角)则是控制每一个半波的导通时间(0-180),控制周期为一个半波时间,即10ms;
  由于可控硅只能在过零点关断,所以一般做法是:
  1.单片机检测到过零点,
  2.定时器延时一段时间后给出一个脉冲,使可控硅导通,
  3.之后维持低电平,则220V过零时,可控硅自动关断,
  4.重复第1步。
  如下图所示:


可控硅控制导通角波形 (原文件名urdev_316502.JPG)


采用位置式或增量式输出方式,位置式公式原型:u(t) = kp * e(t) + ki * [e(1) + e(2) + ....+ e(t)] + kd * [e(t) - e(t-1)],问题是我怎样来得到KP,KI,KD这些参数,又怎样量化计算结果u(t),使之成为我所需要得延时时间来产生一个触发脉冲?我是PID的初学者,希望高手能仔细把思路讲解一下,先谢了!







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