中科因仑“3+1”工程特种兵精英论坛

标题: 2毫米等于1TB容量！黑科技新3D闪存 [打印本页]

作者: liyang 时间: 2015-3-12 19:21
标题: 2毫米等于1TB容量！黑科技新3D闪存
存储是电子产品中最重要的部分之一，它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。由于传统的平面闪存在16/14nm工艺之后面临瓶颈，厂商开始转向3D闪存，这其中三星动作最快，早些时候就已经开始量产第二代V-NAND闪存，850 Pro及850 Evo硬盘也上市了
东芝/闪迪系也在跟进，在日本扩建Fab 2工厂准备3D闪存生产，Intel/镁光系去年底也公开了他们的3D NAND闪存，现在也准备量产了。日前镁光宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂，明年底开始量产第二代3D NAND闪存。镁光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂，每月产能约为14万片等效晶圆，这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂，主要生产第二代3D NAND闪存，建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆，不过之后就是3D NAND闪存了，因此总产能更大，在未来的几年里可支撑每年bit容量增长40-50%。

此次投资总额约为40亿美元，整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015财年先期投资为5亿美元。

镁光的Fab 10X工厂主要是生产第二代的3D NAND闪存，根据Intel之前所说，二代3D NAND闪存最高可以堆叠32层NAND，die核心容量则高达256Gb，这样就能达到1TB容量。如果是TLC闪存，die容量则可以达到384Gb，2mm厚度下就能实现1TB的容量，也就是一张SD卡的大小就有TB+的容量。

Inte声称，他们可以在2毫米的厚度内做到1TB容量，也即是一个SD卡那么大，而两年后可以实现10+TB容量的固态硬盘。Intel计划在2015年下半年发布基于3D闪存的固态硬盘，价格会极具竞争力。这种闪存将在Intel、美光合资的美国犹他州工厂生产，使用20+nm工艺。
16nm的Intel 3D闪存使用了32层堆叠(和三星第二代相同)，其中穿了大约40亿个孔洞用于垂直互联，最终做到单内核容量256Gb(32GB)，比普通的2D闪存翻了一番。

欢迎光临中科因仑“3+1”工程特种兵精英论坛 (http://bbs.enlern.com/)