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标题: arm接外部存储器，SDRAM和SRAM [ [打印本页]

作者: 张衍波 时间: 2015-10-27 18:43
标题: arm接外部存储器，SDRAM和SRAM [

arm7接外部sram和sdram，两种方案。因为ATMEL的sam7se芯片，主频<50Mhz. 所以通过分析时序约束条件，时序余量不够。

SRAM和SDRAM，画pCB时不用考虑等长走线。

尤其是SRAM。

（1500mil的走线延迟<0.3ns），目前板子SDRAM走线间相差1400mil，板子已经打样。

不知这么分析，有没有问题？

大家进行布线时，如何处理此类问题？走线延迟布线前，有预估吗？转载

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